三星称首条EUV产线投产，年底7nm以下产量增两倍

本篇文章598字，读完约1分钟

2月20日，三星宣布其第一条基于极紫外光刻(euv)技术的半导体生产线v1已经开始大规模生产。

三星表示，第一批7纳米和6纳米手机芯片将于第一季度在v1生产线上交付，预计到2020年底，7纳米以下的产能将翻一番。

三星v1生产线位于韩国花城，于2018年2月破土动工，并于2019年下半年开始测试晶圆生产。

“随着产量的增加，v1系列将增强三星应对市场需求的能力，并扩大为客户提供支持的机会。”三星总裁钟彬娴博士说。

三星指出，v1生产线目前正在生产7纳米和6纳米移动芯片，并将继续采用更精细的电路，直到3纳米工艺节点。

根据公司计划，到2020年底，v1生产线累计总投资将达到60亿美元，预计7纳米及以下工艺节点的总产能将比2019年增加3倍。

三星表示，随着半导体的几何尺寸越来越小，采用euv光刻技术变得越来越重要，为5g、ai和汽车等下一代应用提供了最佳选择。

随着v1生产线的投入使用，三星现在在韩国和美国有六条生产线，包括五条12英寸的生产线和一条8英寸的生产线。

据记者梳理，早在2018年6月，TSMC就透露将在2019年第二季度批量生产7纳米EUV工艺和7纳米euv工艺。

此外，对于7纳米以下的工艺，路透社2月18日报道称，三星从高通公司获得了一些5纳米的订单。尽管TSMC今年也将大规模生产5纳米工艺，但三星仍希望通过升级这一工艺，在与TSMC的激烈竞争中赢得市场份额。

来源：零点娱乐时刊